产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 35A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8780
仓库库存编号:
FDU8780-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTI12N50P
仓库库存编号:
IXTI12N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 17.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7222DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7222DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7222DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 16.5A(Ta),30A(Tc) 3.7W(Ta),32.6W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6780
仓库库存编号:
FDD6780CT-ND
别名:FDD6780CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF630B_FP001
仓库库存编号:
IRF630B_FP001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 17.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 17.7A(Ta),30A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6776A
仓库库存编号:
FDD6776ACT-ND
别名:FDD6776ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 35A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8780_F071
仓库库存编号:
FDU8780_F071-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF630BTSTU_FP001
仓库库存编号:
IRF630BTSTU_FP001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH5030AL,115
仓库库存编号:
PH5030AL,115-ND
别名:934063088115
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6415AN-1G
仓库库存编号:
NTD6415AN-1GOS-ND
别名:NTD6415AN-1G-ND
NTD6415AN-1GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 47W(Tc) DP
型号:
TK40P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK40P04M1(T6RSS-Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 46A(Tc) 71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD5865NL-1G
仓库库存编号:
NTD5865NL-1GOS-ND
别名:NTD5865NL-1G-ND
NTD5865NL-1GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NTD6415ANT4G
仓库库存编号:
NTD6415ANT4GOSCT-ND
别名:NTD6415ANT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 17.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7222DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7222DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7222DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.9A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4099LS
仓库库存编号:
2SK4099LS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4304
仓库库存编号:
785-1283-1-ND
别名:785-1283-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7788
仓库库存编号:
785-1406-1-ND
别名:785-1406-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4512DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4512DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5012DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5012DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5012DPP-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6804
仓库库存编号:
JAN2N6804-ND
别名:JAN2N6804-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JANTXV2N6804
仓库库存编号:
JANTXV2N6804-ND
别名:JANTXV2N6804-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
2N6804
仓库库存编号:
2N6804-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9.9A(Ta),50A(Tc) 115W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD13AN06A0_F085-5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.9A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4099LS-1E
仓库库存编号:
2SK4099LS-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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