产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK8A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK8A55DA(STA4QM)
TK8A55DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),84A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120
仓库库存编号:
IRFD120-ND
别名:*IRFD120
IRFD121
IRFD122
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520
仓库库存编号:
IRF520IR-ND
别名:*IRF520
IRF520IR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120
仓库库存编号:
IRFR120IR-ND
别名:*IRFR120
IRFR120IR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TR
仓库库存编号:
IRFR120TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRL
仓库库存编号:
IRFR120TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU120
仓库库存编号:
IRFU120IR-ND
别名:*IRFU120
IRFU120IR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620G
仓库库存编号:
IRLI620G-ND
别名:*IRLI620G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520S
仓库库存编号:
IRF520S-ND
别名:*IRF520S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRL
仓库库存编号:
IRF520STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRR
仓库库存编号:
IRF520STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI520G
仓库库存编号:
IRFI520G-ND
别名:*IRFI520G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRR
仓库库存编号:
IRFR120TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MMDF2C03HDR2
仓库库存编号:
MMDF2C03HDR2OSCT-ND
别名:MMDF2C03HDR2OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620GPBF
仓库库存编号:
IRLI620GPBF-ND
别名:*IRLI620GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8958A
仓库库存编号:
FDS8958ACT-ND
别名:FDS8958ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N10TU
仓库库存编号:
FQU13N10TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N10
仓库库存编号:
FQPF13N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10TF
仓库库存编号:
FQD13N10TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12.8A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB13N10TM
仓库库存编号:
FQB13N10TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) D-Pak
型号:
HUF76609D3S
仓库库存编号:
HUF76609D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76609D3
仓库库存编号:
HUFA76609D3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76609D3S
仓库库存编号:
HUFA76609D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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