产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4532ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4532ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4532ADY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520PBF
仓库库存编号:
IRF520PBF-ND
别名:*IRF520PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6954ADQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6954ADQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6954ADQ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRPBF
仓库库存编号:
IRFR120TRPBFCT-ND
别名:IRFR120TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120PBF
仓库库存编号:
IRFD120PBF-ND
别名:*IRFD120PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6954ADQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6954ADQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6954ADQ-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120PBF
仓库库存编号:
IRFR120PBF-ND
别名:*IRFR120PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU120PBF
仓库库存编号:
IRFU120PBF-ND
别名:*IRFU120PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD123PBF
仓库库存编号:
IRFD123PBF-ND
别名:*IRFD123PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI520GPBF
仓库库存编号:
IRFI520GPBF-ND
别名:*IRFI520GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 42A(Tc) 65.2W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD80460E-GE3
仓库库存编号:
SUD80460E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR412DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR412DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR412DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2319ADS-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2319ADS-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2319ADS-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520SPBF
仓库库存编号:
IRF520SPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount
型号:
SI4532ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4532ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4532ADY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR120LPBFTR-ND
别名:IRFR120LPBFTR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR120TRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120
仓库库存编号:
IRFD120-ND
别名:*IRFD120
IRFD121
IRFD122
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520
仓库库存编号:
IRF520IR-ND
别名:*IRF520
IRF520IR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120
仓库库存编号:
IRFR120IR-ND
别名:*IRFR120
IRFR120IR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TR
仓库库存编号:
IRFR120TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRL
仓库库存编号:
IRFR120TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU120
仓库库存编号:
IRFU120IR-ND
别名:*IRFU120
IRFU120IR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620G
仓库库存编号:
IRLI620G-ND
别名:*IRLI620G
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520S
仓库库存编号:
IRF520S-ND
别名:*IRF520S
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
含铅
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