产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.85A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD2NK100Z
仓库库存编号:
497-7964-1-ND
别名:497-7964-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
NTMD4N03R2G
仓库库存编号:
NTMD4N03R2GOSCT-ND
别名:NTMD4N03R2GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4807
仓库库存编号:
785-1057-1-ND
别名:785-1057-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4532ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4532ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4532ADY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520PBF
仓库库存编号:
IRF520PBF-ND
别名:*IRF520PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 48W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN7R0-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5909-1-ND
别名:1727-5909-1
568-7589-1
568-7589-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4449
仓库库存编号:
785-1199-1-ND
别名:785-1199-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6954ADQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6954ADQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6954ADQ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76609D3ST
仓库库存编号:
HUF76609D3STFSCT-ND
别名:HUF76609D3STFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRPBF
仓库库存编号:
IRFR120TRPBFCT-ND
别名:IRFR120TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak
型号:
FCD5N60TM
仓库库存编号:
FCD5N60TMCT-ND
别名:FCD5N60TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK7P60W5,RVQ
仓库库存编号:
TK7P60W5RVQCT-ND
别名:TK7P60W5RVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120PBF
仓库库存编号:
IRFD120PBF-ND
别名:*IRFD120PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A60DSTA4QM-ND
别名:TK6A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6954ADQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6954ADQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6954ADQ-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.6W(Ta),32W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH14006NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH14006NHL1QCT-ND
别名:TPH14006NHL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120PBF
仓库库存编号:
IRFR120PBF-ND
别名:*IRFR120PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU120PBF
仓库库存编号:
IRFU120PBF-ND
别名:*IRFU120PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD123PBF
仓库库存编号:
IRFD123PBF-ND
别名:*IRFD123PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI520GPBF
仓库库存编号:
IRFI520GPBF-ND
别名:*IRFI520GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 72W(Tc) I-Pak
型号:
STU7NF25
仓库库存编号:
497-13980-5-ND
别名:497-13980-5
STU7NF25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta),37A(Tc) 810mW(Ta),20.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4928NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4928NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4928NTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 85W(Tc) I-Pak
型号:
STU12N60M2
仓库库存编号:
497-16024-5-ND
别名:497-16024-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI12N60M2
仓库库存编号:
497-16015-5-ND
别名:497-16015-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 42A(Tc) 65.2W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD80460E-GE3
仓库库存编号:
SUD80460E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 16nC @ 10V,
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