产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2318CX RFG
仓库库存编号:
TSM2318CX RFGDKR-ND
别名:TSM2318CX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2307CX RFG
仓库库存编号:
TSM2307CX RFGTR-ND
别名:TSM2307CX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2307CX RFG
仓库库存编号:
TSM2307CX RFGCT-ND
别名:TSM2307CX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2307CX RFG
仓库库存编号:
TSM2307CX RFGDKR-ND
别名:TSM2307CX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 33A(Tc) 45W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y21-40EX
仓库库存编号:
1727-1108-1-ND
别名:1727-1108-1
568-10263-1
568-10263-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 840MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 840mA(Tc) 3W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2325ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2325ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2325ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR120ZTRPBFCT-ND
别名:IRFR120ZTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD2NK60Z-1
仓库库存编号:
497-12555-5-ND
别名:497-12555-5
STD2NK60Z-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.6A(Tc) 63W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N20
仓库库存编号:
FQP7N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF2NK60Z
仓库库存编号:
497-12576-5-ND
别名:497-12576-5
STF2NK60Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP9N65M2
仓库库存编号:
497-15042-5-ND
别名:497-15042-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU2N105K5
仓库库存编号:
497-15282-5-ND
别名:497-15282-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R1K4CFDBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc)
型号:
SI2366DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2366DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2366DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 250mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2303-TP
仓库库存编号:
SI2303-TPMSCT-ND
别名:SI2303-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 250mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2304-TP
仓库库存编号:
SI2304-TPMSCT-ND
别名:SI2304-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.13A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NVTR4502PT1G
仓库库存编号:
NVTR4502PT1GOSCT-ND
别名:NVTR4502PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223
型号:
DMN10H120SE-13
仓库库存编号:
DMN10H120SE-13DICT-ND
别名:DMN10H120SE-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 3W(Ta),22.9W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E150GNTB
仓库库存编号:
RS1E150GNTBCT-ND
别名:RS1E150GNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A POWER33
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
FDMC7200
仓库库存编号:
FDMC7200CT-ND
别名:FDMC7200CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A POWER33
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 13A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
FDMC7200S
仓库库存编号:
FDMC7200SCT-ND
别名:FDMC7200SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N80
仓库库存编号:
785-1620-1-ND
别名:785-1620-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
FDMC8200S
仓库库存编号:
FDMC8200SCT-ND
别名:FDMC8200SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 400mA 1.6W Surface Mount 8-SO
型号:
STS1DNC45
仓库库存编号:
497-12678-1-ND
别名:497-12678-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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