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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP75N20
  仓库库存编号：497-5271-5-ND
  别名：497-5271-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW75N20
  仓库库存编号：497-5320-5-ND
  别名：497-5320-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75N20
  仓库库存编号：497-5313-1-ND
  别名：497-5313-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 22A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB25NM50N
  仓库库存编号：497-5385-1-ND
  别名：497-5385-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB25NM60N-1
  仓库库存编号：497-5730-ND
  别名：497-5730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP448
  仓库库存编号：IRFP448-ND
  别名：*IRFP448
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50LC
  仓库库存编号：IRFPC50LC-ND
  别名：*IRFPC50LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76439P3
  仓库库存编号：HUF76439P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76439S3S
  仓库库存编号：HUF76439S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 155W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76439P3
  仓库库存编号：HUFA76439P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76439S3S
  仓库库存编号：HUFA76439S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76439S3ST
  仓库库存编号：HUFA76439S3ST-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3PB
  
  型号：WPB4002
  仓库库存编号：WPB4002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 294W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP083N15A
  仓库库存编号：FDP083N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 221W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7108-40AIE,118
  仓库库存编号：568-9629-1-ND
  别名：568-9629-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：WPB4002-1E
  仓库库存编号：WPB4002-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 416W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP2M011A090NG
  仓库库存编号：1560-1209-5-ND
  别名：1560-1209-1
  1560-1209-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI15N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPI15N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000264433
  SP000681000
  SPI15N60CFD
  SPI15N60CFD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP15N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPP15N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000264425
  SPP15N60CFD
  SPP15N60CFD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3607GPBF
  仓库库存编号：IRFB3607GPBF-ND
  别名：SP001577820
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR3607
  仓库库存编号：AUIRFR3607-ND
  别名：SP001521766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS3607
  仓库库存编号：AUIRFS3607-ND
  别名：SP001516006
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 75V 56A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3607-701PBF
  仓库库存编号：IRFU3607-701PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 75V 56A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3607TRL701P
  仓库库存编号：IRFU3607TRL701PTR-ND
  别名：IRFU3607TRL701PTR
  SP001557718
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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