产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP70N10KUF-E1-AY
仓库库存编号:
NP70N10KUF-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 9A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1201R4BFLLG
仓库库存编号:
APT1201R4BFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA2-ND
别名:SP001028674
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S4L06ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L06ATMA2-ND
别名:SP001028682
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR2307ZTRLPBF-ND
别名:SP001555008
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S4L07AKSA2-ND
别名:SP001028668
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW40N20
仓库库存编号:
497-4427-5-ND
别名:497-4427-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40N20
仓库库存编号:
497-4380-5-ND
别名:497-4380-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 40A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB40N20
仓库库存编号:
497-4765-1-ND
别名:497-4765-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF40N20
仓库库存编号:
497-5006-5-ND
别名:497-5006-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.5A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP14NK60Z
仓库库存编号:
STP14NK60Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.5A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW14NK60Z
仓库库存编号:
STW14NK60Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD65NF06
仓库库存编号:
497-6023-1-ND
别名:497-6023-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 30A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30NM30N
仓库库存编号:
497-7521-5-ND
别名:497-7521-5
STP30NM30N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 68V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 68V 80A(Tc) 190W(Tc) TO-220-3
型号:
STP75NF68
仓库库存编号:
STP75NF68-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB200N4F3
仓库库存编号:
STB200N4F3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220-3
型号:
STP200N4F3
仓库库存编号:
497-8789-5-ND
别名:497-8789-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2099H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2099H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 16A(Tc) 200W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA16N50
仓库库存编号:
FQA16N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 19.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 400V 19.5A(Tc) 200W(Tc) TO-3P
型号:
FQA20N40
仓库库存编号:
FQA20N40-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20F50B
仓库库存编号:
APT20F50B-ND
别名:APT20F50BMI
APT20F50BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM75N06-09L-E3
仓库库存编号:
SUM75N06-09L-E3CT-ND
别名:SUM75N06-09L-E3-ND
SUM75N06-09L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7958DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7958DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7958DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7960DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7960DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7960DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7958DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7958DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7958DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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