产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB14NK60ZT4
仓库库存编号:
497-7933-1-ND
别名:497-7933-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 212W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB290N80
仓库库存编号:
FCB290N80CT-ND
别名:FCB290N80CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 17A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF290N80
仓库库存编号:
FCPF290N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-220
型号:
FCP165N60E
仓库库存编号:
FCP165N60E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 212W(Tc) TO-220
型号:
FCP290N80
仓库库存编号:
FCP290N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-247
型号:
FCH165N60E
仓库库存编号:
FCH165N60E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R160C6
仓库库存编号:
IPB60R160C6CT-ND
别名:IPB60R160C6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF70
仓库库存编号:
497-10964-5-ND
别名:497-10964-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 11.3A(Tc) 110W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF16N50
仓库库存编号:
FQAF16N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 27.6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK28A65W,S5X
仓库库存编号:
TK28A65WS5X-ND
别名:TK28A65W,S5X(M
TK28A65WS5X
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 660W(Tc) TO-247
型号:
IXFH46N65X2
仓库库存编号:
IXFH46N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tj) Power56
型号:
FDWS86368_F085
仓库库存编号:
FDWS86368_F085CT-ND
别名:FDWS86368_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 13A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta),54A(Tc) 2.1W(Ta),36.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2606L
仓库库存编号:
785-1428-5-ND
别名:785-1428-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tc) Power56
型号:
FDMS86368_F085
仓库库存编号:
FDMS86368_F085CT-ND
别名:FDMS86368_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 255W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R4-30B,118
仓库库存编号:
1727-5253-1-ND
别名:1727-5253-1
568-6577-1
568-6577-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF40NF20
仓库库存编号:
497-5805-5-ND
别名:497-5805-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJA58DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJA58DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJA58DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA25N60EFL-E3
仓库库存编号:
SIHA25N60EFL-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR168DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR168DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50N04-5M6L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N04-5M6L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 46A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2606
仓库库存编号:
785-1477-1-ND
别名:785-1477-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 13A(Ta),72A(Tc) 2.1W(Ta),115W(Tc) TO-220
型号:
AOT2606L
仓库库存编号:
785-1433-5-ND
别名:785-1433-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 82A(Ta) 1.5W(Ta),156W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
N0604N-S19-AY
仓库库存编号:
N0604N-S19-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 72A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 13A(Ta),72A(Tc) 2.1W(Ta),115W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB2606L
仓库库存编号:
785-1469-1-ND
别名:785-1469-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A 128W TO-220-3
型号:
TK60E08K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK60E08K3S1X(S-ND
别名:TK60E08K3S1X(S
TK60E08K3S1XS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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