产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(40)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(5)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(35)
筛选品牌
Infineon Technologies (31)
Nexperia USA Inc. (1)
Rohm Semiconductor (4)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4943BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4943BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4943BDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ34NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ34NPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NPBF-ND
别名:*IRLZ34NPBF
SP001553290
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34NPBF
仓库库存编号:
IRLIZ34NPBF-ND
别名:*IRLIZ34NPBF
SP001573820
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8J5TB
仓库库存编号:
SP8J5TBCT-ND
别名:SP8J5TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TRPBF
仓库库存编号:
IRLR2705PBFCT-ND
别名:*IRLR2705TRPBF
IRLR2705PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 490mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB55XP,115
仓库库存编号:
1727-1329-1-ND
别名:1727-1329-1
568-10759-1
568-10759-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4943BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4943BDY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8J5FU6TB
仓库库存编号:
SP8J5FU6TB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS120N03TB
仓库库存编号:
RSS120N03TBCT-ND
别名:RSS120N03TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS120N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS120N03FU6TB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4880DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4880DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4880DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4880DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34N
仓库库存编号:
IRLIZ34N-ND
别名:*IRLIZ34N
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NS
仓库库存编号:
IRLZ34NS-ND
别名:*IRLZ34NS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRLZ34NSTRR-ND
别名:Q971401
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-2335
仓库库存编号:
94-2335-ND
别名:*IRLR2705
IRLR2705
IRLR2705-ND
SP001521442
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2705
仓库库存编号:
IRLU2705-ND
别名:*IRLU2705
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ34NL
仓库库存编号:
IRLZ34NL-ND
别名:*IRLZ34NL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TRL
仓库库存编号:
IRLR2705TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TR
仓库库存编号:
IRLR2705TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP05N03LA
仓库库存编号:
IPP05N03LAIN-ND
别名:IPP05N03LAIN
IPP05N03LAX
IPP05N03LAXTIN
IPP05N03LAXTIN-ND
SP000014020
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA
仓库库存编号:
IPB05N03LAINCT-ND
别名:IPB05N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LA G
仓库库存编号:
IPD05N03LAGINTR-ND
别名:IPD05N03LA
IPD05N03LAG
IPD05N03LAGINTR
IPD05N03LAGXT
IPD05N03LAGXT-ND
IPD05N03LAINTR
IPD05N03LAINTR-ND
SP000017599
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF05N03LA G
仓库库存编号:
IPF05N03LAGINCT-ND
别名:IPF05N03LAG
IPF05N03LAGINCT
IPF05N03LAGXTINCT
IPF05N03LAGXTINCT-ND
IPF05N03LAINCT
IPF05N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号