产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 105V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 105V 40A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
AOT404
仓库库存编号:
785-1144-2-ND
别名:785-1144-2
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta) 20W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2141H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2141H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 40A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5680
仓库库存编号:
FDP5680-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 68W(Tc) DPAK
型号:
NTD5413NT4G
仓库库存编号:
NTD5413NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4125
仓库库存编号:
869-1071-ND
别名:869-1071
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF08N50ZG
仓库库存编号:
NDF08N50ZGOS-ND
别名:NDF08N50ZG-ND
NDF08N50ZGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4087LS
仓库库存编号:
2SK4087LS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.7A(Ta) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4007
仓库库存编号:
BFL4007-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF08N50ZH
仓库库存编号:
NDF08N50ZH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) D2PAK
型号:
NTBV45N06T4G
仓库库存编号:
NTBV45N06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 68W(Tc) DPAK
型号:
NVD5413NT4G
仓库库存编号:
NVD5413NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 450V 22A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK4514DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK4514DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 19A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Ta) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5014DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5014DPP-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 14A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4087LS-1E
仓库库存编号:
2SK4087LS-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3P-3L
型号:
2SK4125-1E
仓库库存编号:
2SK4125-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.7A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.7A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4007-1E
仓库库存编号:
BFL4007-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A080FH
仓库库存编号:
GP1M008A080FH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A080H
仓库库存编号:
1560-1170-5-ND
别名:1560-1170-1
1560-1170-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46Z
仓库库存编号:
IRFZ46Z-ND
别名:*IRFZ46Z
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZS
仓库库存编号:
IRFZ46ZS-ND
别名:*IRFZ46ZS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46ZL
仓库库存编号:
IRFZ46ZL-ND
别名:*IRFZ46ZL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46ZPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZPBF-ND
别名:*IRFZ46ZPBF
SP001571882
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZSPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZSPBF-ND
别名:*IRFZ46ZSPBF
SP001550294
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46ZLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZLPBF-ND
别名:*IRFZ46ZLPBF
SP001576304
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 13A(Ta),56A(Tc) 2.2W(Ta),38W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF077N06NT3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF077N06NT3GXUMA1CT-ND
别名:BSF077N06NT3 GCT
BSF077N06NT3 GCT-ND
BSF077N06NT3G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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