产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2OSCT-ND
别名:MMSF3P02HDR2OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06T4
仓库库存编号:
NTB30N06T4OS-ND
别名:NTB30N06T4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP30N06
仓库库存编号:
NTP30N06OS-ND
别名:NTP30N06OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Ta) 2.4W(Ta),125W(Tj) TO-220AB
型号:
NTP45N06
仓库库存编号:
NTP45N06OS-ND
别名:NTP45N06OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220-5
型号:
IRCZ34PBF
仓库库存编号:
IRCZ34PBF-ND
别名:*IRCZ34PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Ta) 2.4W(Ta),125W(Tj) TO-220AB
型号:
NTP45N06G
仓库库存编号:
NTP45N06GOS-ND
别名:NTP45N06GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 55A(Tc) 133W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP55N06
仓库库存编号:
FQP55N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76429D3S
仓库库存编号:
HUF76429D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76629D3S
仓库库存编号:
HUF76629D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76429D3ST
仓库库存编号:
HUF76429D3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-251AA
型号:
HUF76629D3
仓库库存编号:
HUF76629D3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76429P3
仓库库存编号:
HUF76429P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76429D3S
仓库库存编号:
HUFA76429D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76629D3S
仓库库存编号:
HUFA76629D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76629D3
仓库库存编号:
HUFA76629D3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76629D3ST
仓库库存编号:
HUFA76629D3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 55A(Tc) 3.75W(Ta),133W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB55N06TM
仓库库存编号:
FQB55N06TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76429P3
仓库库存编号:
HUFA76429P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76429S3S
仓库库存编号:
HUFA76429S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76429S3S
仓库库存编号:
HUF76429S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76429S3ST
仓库库存编号:
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2SG
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2SG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06G
仓库库存编号:
NTB30N06G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06T4G
仓库库存编号:
NTB30N06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 105V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 105V 40A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
AOT404
仓库库存编号:
785-1144-5-ND
别名:785-1144-1
785-1144-1-ND
785-1144-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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