以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH18N100Q3
  仓库库存编号：IXFH18N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH15N80Q
  仓库库存编号：IXFH15N80Q-ND
  别名：476021
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP86N20T
  仓库库存编号：IXTP86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA86N20T
  仓库库存编号：IXTA86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ86N20T
  仓库库存编号：IXTQ86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N60Q
  仓库库存编号：IXFH20N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH23N60Q
  仓库库存编号：IXFH23N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT13N80Q
  仓库库存编号：IXFT13N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N60Q
  仓库库存编号：IXFT20N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT23N60Q
  仓库库存编号：IXFT23N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 15A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 15A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT15N80Q
  仓库库存编号：IXFT15N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100Q
  仓库库存编号：IXFH12N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT12N90Q
  仓库库存编号：IXFT12N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 33A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM60-02TF
  仓库库存编号：FMM60-02TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N80Q
  仓库库存编号：IXFR15N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 18A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT18N100Q3
  仓库库存编号：IXFT18N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX12N90Q
  仓库库存编号：IXFX12N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR12N100Q
  仓库库存编号：IXFR12N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X100-01X1-SMD
  仓库库存编号：GMM3X100-01X1-SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X100-01X1-SMDSAM
  仓库库存编号：GMM3X100-01X1-SMDSAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM100-01X1-SLSAM
  仓库库存编号：GWM100-01X1-SLSAM-ND
  别名：GWM100-01X1-SL SAM
  GWM100-01X1-SL SAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM100-01X1-SMDSAM
  仓库库存编号：GWM100-01X1-SMDSAM-ND
  别名：GWM100-01X1-SMD SAM
  GWM100-01X1-SMD SAM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR10N100Q
  仓库库存编号：IXFR10N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR12N100
  仓库库存编号：IXFR12N100-ND
  别名：Q1157068A
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 160A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM160-0055P3
  仓库库存编号：GWM160-0055P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：IXYS,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索