产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 14.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA15N50E-E3
仓库库存编号:
SIHA15N50E-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI740GPBF
仓库库存编号:
IRFI740GPBF-ND
别名:*IRFI740GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS427EDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS427EDN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR846ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR846ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR846ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA453EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA453EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA453EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI640GPBF
仓库库存编号:
IRLI640GPBF-ND
别名:*IRLI640GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14.5A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP15N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHP15N50E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Tc) 156W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB15N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHB15N50E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA66DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA66DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA66DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA66DN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR846ADP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR846ADP-T1-RE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR688DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR688DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.4A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI740G
仓库库存编号:
IRFI740G-ND
别名:*IRFI740G
Q850024
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI640G
仓库库存编号:
IRLI640G-ND
别名:*IRLI640G
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46L
仓库库存编号:
IRFZ46L-ND
别名:*IRFZ46L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC740PBF
仓库库存编号:
IRC740PBF-ND
别名:*IRC740PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7160DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7160DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7160DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7774DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7774DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7774DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 2.7W(Ta),59.5W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP50N03-5M1P-GE3
仓库库存编号:
SUP50N03-5M1P-GE3-ND
别名:SUP50N03-5M1P-GE3CT
SUP50N03-5M1P-GE3CT-ND
SUP50N035M1PGE3
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7160DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7160DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 78A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 78A(Tc) 10.7W(Ta),65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N025-06P-E3
仓库库存编号:
SUD50N025-06P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 66nC @ 10V,
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