产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6216TRPBF
仓库库存编号:
IRF6216TRPBFCT-ND
别名:IRF6216TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB144N12N3 G
仓库库存编号:
IPB144N12N3 GCT-ND
别名:IPB144N12N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N12N3 G
仓库库存编号:
IPP147N12N3 G-ND
别名:IPP147N12N3G
IPP147N12N3GXKSA1
SP000652742
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO303P H
仓库库存编号:
BSO303P HCT-ND
别名:BSO303P HCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC009NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSC009NE2LS5IATMA1CT-ND
别名:BSC009NE2LS5IATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD60N10S4L12ATMA1
仓库库存编号:
IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND
别名:IPD60N10S4L12ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI147N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI147N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI147N12N3 G
IPI147N12N3 G-ND
IPI147N12N3G
SP000652744
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB12N50C3
仓库库存编号:
SPB12N50C3INCT-ND
别名:SPB12N50C3INCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA12N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA12N50C3XKSA1-ND
别名:SP000216322
SPA12N50C3
SPA12N50C3IN
SPA12N50C3IN-ND
SPA12N50C3X
SPA12N50C3XK
SPA12N50C3XTIN
SPA12N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI12N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI12N50C3XKSA1-ND
别名:SP000680996
SPI12N50C3
SPI12N50C3-ND
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-ND
SPI12N50C3X
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW12N50C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW12N50C3FKSA1-ND
别名:SP000014469
SPW12N50C3
SPW12N50C3IN
SPW12N50C3IN-ND
SPW12N50C3X
SPW12N50C3XK
SPW12N50C3XTIN
SPW12N50C3XTIN-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP12N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP12N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014459
SPP12N50C3
SPP12N50C3IN
SPP12N50C3IN-ND
SPP12N50C3X
SPP12N50C3XK
SPP12N50C3XTIN
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI12N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI12N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014467
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 49nC @ 10V,
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