产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ96N25T
仓库库存编号:
IXTQ96N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH96N25T
仓库库存编号:
IXTH96N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 750W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ102N20T
仓库库存编号:
IXTQ102N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 750W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH102N20T
仓库库存编号:
IXTH102N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV96N25T
仓库库存编号:
IXTV96N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC20N60C
仓库库存编号:
IXKC20N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 85V 103A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM100-0085X1-SMD
仓库库存编号:
GWM100-0085X1-SMD-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 85V 103A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM100-0085X1-SMD SAM
仓库库存编号:
GWM100-0085X1-SMD SAM-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 152A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA152N085T
仓库库存编号:
IXTA152N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 152A(Tc) 360W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA152N085T7
仓库库存编号:
IXTA152N085T7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 182A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA182N055T
仓库库存编号:
IXTA182N055T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 182A(Tc) 360W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA182N055T7
仓库库存编号:
IXTA182N055T7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 85V 152A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH152N085T
仓库库存编号:
IXTH152N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 182A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH182N055T
仓库库存编号:
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 152A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP152N085T
仓库库存编号:
IXTP152N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 114nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 182A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP182N055T
仓库库存编号:
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 152A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 85V 152A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ152N085T
仓库库存编号:
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55V 182A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ182N055T
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MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 102A(Tc) 750W(Tc) PLUS220
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