产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16342Q5A
仓库库存编号:
296-30314-1-ND
别名:296-30314-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
含铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 1.6W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM9926DCS RLG
仓库库存编号:
TSM9926DCS RLGTR-ND
别名:TSM9926DCS RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 1.6W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM9926DCS RLG
仓库库存编号:
TSM9926DCS RLGCT-ND
别名:TSM9926DCS RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 1.6W Surface Mount 8-SOP
型号:
TSM9926DCS RLG
仓库库存编号:
TSM9926DCS RLGDKR-ND
别名:TSM9926DCS RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号:
SI5922DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5922DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5922DU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.6A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB20UN,115
仓库库存编号:
568-10816-1-ND
别名:568-10816-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3714Z
仓库库存编号:
IRLU3714Z-ND
别名:*IRLU3714Z
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714ZTRL
仓库库存编号:
IRLR3714ZCTL-ND
别名:*IRLR3714ZTRL
IRLR3714ZCTL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714ZPBF
仓库库存编号:
IRLR3714ZPBF-ND
别名:*IRLR3714ZPBF
SP001578822
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3714ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3714ZPBF-ND
别名:*IRLU3714ZPBF
SP001553004
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRLR3714ZTRLPBF-ND
别名:SP001568510
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRLR3714ZTRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.1nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3714ZTRPBF-ND
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