产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830PBF
仓库库存编号:
IRF830PBF-ND
别名:*IRF830PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730PBF
仓库库存编号:
IRF730PBF-ND
别名:*IRF730PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG20PBF
仓库库存编号:
IRFBG20PBF-ND
别名:*IRFBG20PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530PBF
仓库库存编号:
IRF9530PBF-ND
别名:*IRF9530PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF20PBF
仓库库存编号:
IRFBF20PBF-ND
别名:*IRFBF20PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI730GPBF
仓库库存编号:
IRFI730GPBF-ND
别名:*IRFI730GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA84DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA84DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA84DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Tc) 5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5457DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5457DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5457DC-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Tc) 4.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4431CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4431CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4431CDY-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.2A(Tc) 4.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4447ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4447ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4447ADY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),4.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4431CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4431CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4431CDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 53W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7415AEN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
别名:SQ7415AEN-T1-GE3
SQ7415AEN-T1-GE3TR
SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
SQ7415AEN-T1_GE3TR
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4894BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4894BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4894BDY-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ912AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ912AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ912AEP-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9530STRLPBFCT-ND
别名:IRF9530STRLPBFCT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc)
型号:
IRF840ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRF840ASTRRPBFCT-ND
别名:IRF840ASTRRPBFCT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 7.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9530GPBF
仓库库存编号:
IRFI9530GPBF-ND
别名:*IRFI9530GPBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20PBF
仓库库存编号:
IRFBE20PBF-ND
别名:*IRFBE20PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20SPBF
仓库库存编号:
IRFBF20SPBF-ND
别名:*IRFBF20SPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI830GPBF
仓库库存编号:
IRFI830GPBF-ND
别名:*IRFI830GPBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF20LPBF
仓库库存编号:
IRFBF20LPBF-ND
别名:*IRFBF20LPBF
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 4.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9634GPBF
仓库库存编号:
IRFI9634GPBF-ND
别名:*IRFI9634GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBE20GPBF-ND
别名:*IRFIBE20GPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 74W(Tc)
型号:
IRF830STRLPBF
仓库库存编号:
IRF830STRLPBFCT-ND
别名:IRF830STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730SPBF
仓库库存编号:
IRF730SPBF-ND
别名:*IRF730SPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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