产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8
型号:
BSC072N03LD G
仓库库存编号:
BSC072N03LD GCT-ND
别名:BSC072N03LD GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7854TRPBF
仓库库存编号:
IRF7854TRPBFCT-ND
别名:IRF7854TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD06N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD06N80C3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7451TRPBF
仓库库存编号:
IRF7451PBFCT-ND
别名:*IRF7451TRPBF
IRF7451PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3W(Ta),140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR15N20DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR15N20DTRPBFCT-ND
别名:IRFR15N20DTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R310CFD
仓库库存编号:
IPB65R310CFDCT-ND
别名:IPB65R310CFDCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0901NSI
仓库库存编号:
BSZ0901NSICT-ND
别名:BSZ0901NSICT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC034N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC034N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC034N06NSATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP06N80C3
仓库库存编号:
SPP06N80C3IN-ND
别名:SP000013366
SP0000683154
SP000683154
SPP06N80C3IN
SPP06N80C3X
SPP06N80C3XK
SPP06N80C3XKSA1
SPP06N80C3XTIN
SPP06N80C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R310CFD
仓库库存编号:
IPP65R310CFD-ND
别名:IPP65R310CFDXKSA1
SP000745028
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5303TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5303TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5303TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA06N80C3
仓库库存编号:
SPA06N80C3IN-ND
别名:SP000216302
SPA06N80C3IN
SPA06N80C3X
SPA06N80C3XK
SPA06N80C3XKSA1
SPA06N80C3XTIN
SPA06N80C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 71W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S53R1ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S53R1ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S53R1ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9332TRPBF
仓库库存编号:
IRF9332TRPBF-ND
别名:SP001565710
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 27A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC019N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC019N04LSATMA1-ND
别名:SP001067012
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP048N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP048N04NGXKSA1-ND
别名:IPP048N04N G
IPP048N04N G-ND
IPP048N04NG
SP000648308
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.9A(Tc) 104.2W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R340CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R340CFDAUMA1-ND
别名:SP000949258
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11.4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R310CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R310CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R310CFD
IPA65R310CFD-ND
SP000890320
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R310CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R310CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R310CFD
IPI65R310CFD-ND
SP000891700
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R310CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R310CFDAATMA1-ND
别名:SP000879440
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R310CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R310CFDAAKSA1-ND
别名:SP000879438
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R310CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R310CFDFKSA1-ND
别名:IPW65R310CFD
IPW65R310CFD-ND
SP000890688
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 3.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7451
仓库库存编号:
IRF7451-ND
别名:*IRF7451
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 3.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7451TR
仓库库存编号:
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Ta) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD06N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD06N80C3INCT
SPD06N80C3INCT-ND
SPD06N80C3XTINCT
SPD06N80C3XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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