产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
详细描述:MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
型号:
NTMFD4952NFT3G
仓库库存编号:
NTMFD4952NFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
详细描述:MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
型号:
NTMFD4951NFT3G
仓库库存编号:
NTMFD4951NFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
详细描述:MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
型号:
NTMFD4951NFT1G
仓库库存编号:
NTMFD4951NFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 310W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP047AN08A0_F102
仓库库存编号:
FDP047AN08A0_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE MOSFET P-CH 100V
详细描述:表面贴装 模具
型号:
PCFQ5P10W
仓库库存编号:
PCFQ5P10W-DIE-ND
别名:FCPCFQ5P10W
FCPCFQ5P10W-ND
PCFQ5P10W-DIE
PCFQ5P10W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE MOSFET P-CH 100V
详细描述:表面贴装 模具
型号:
PCFQ8P10W
仓库库存编号:
PCFQ8P10W-DIE-ND
别名:FCPCFQ8P10W
FCPCFQ8P10W-ND
PCFQ8P10W-DIE
PCFQ8P10W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 2A(Tc) 25W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP2N10L
仓库库存编号:
RFP2N10L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 2A(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
MPF960
仓库库存编号:
MPF960OS-ND
别名:MPF960OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 90V 2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 90V 2A(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
MPF990
仓库库存编号:
MPF990OS-ND
别名:MPF990OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Tc) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002LT1
仓库库存编号:
2N7002LT1OSCT-ND
别名:2N7002LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 500mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MMBF170LT1
仓库库存编号:
MMBF170LT1OSCT-ND
别名:MMBF170LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
2N7000RLRA
仓库库存编号:
2N7000RLRAOSCT-ND
别名:2N7000RLRAOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 300mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MMBF0201NLT1
仓库库存编号:
MMBF0201NLT1OSCT-ND
别名:MMBF0201NLT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 300mA(Ta) 150mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
MMBF2201NT1
仓库库存编号:
MMBF2201NT1OSCT-ND
别名:MMBF2201NT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 700mA(Tc) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
MMFT2406T1
仓库库存编号:
MMFT2406T1OSDKR-ND
别名:MMFT2406T1OSDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 0.25A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 250mA(Tc) 800mW(Ta) SOT-223
型号:
MMFT107T1
仓库库存编号:
MMFT107T1OSDKR-ND
别名:MMFT107T1OSDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
VN2222LL
仓库库存编号:
VN2222LLOS-ND
别名:VN2222LLOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN0300L
仓库库存编号:
VN0300LOS-ND
别名:VN0300LOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 500mA(Ta) 350mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS170RLRA
仓库库存编号:
BS170RLRAOSCT-ND
别名:BS170RLRAOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
BSS123LT1
仓库库存编号:
BSS123LT1OSCT-ND
别名:BSS123LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
BSS138LT1
仓库库存编号:
BSS138LT1OSCT-ND
别名:BSS138LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 130mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
BSS84LT1
仓库库存编号:
BSS84LT1OSCT-ND
别名:BSS84LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 750mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MGSF1N02LT1
仓库库存编号:
MGSF1N02LT1OSCT-ND
别名:MGSF1N02LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.6A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MGSF1N03LT1
仓库库存编号:
MGSF1N03LT1OSCT-ND
别名:MGSF1N03LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 750mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MGSF1P02LT1
仓库库存编号:
MGSF1P02LT1OSTR-ND
别名:MGSF1P02LT1OSTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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