产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
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分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 11.5A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7420
仓库库存编号：
IRF7420-ND
别名：*IRF7420
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7433
仓库库存编号：
IRF7433-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
型号：
IRF7702
仓库库存编号：
IRF7702-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 11.5A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7420TR
仓库库存编号：
IRF7420TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7433TR
仓库库存编号：
IRF7433TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 10A（Tc） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7701TR
仓库库存编号：
IRF7701TR-ND
别名：SP001575290
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
型号：
IRF7702TR
仓库库存编号：
IRF7702TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7484Q
仓库库存编号：
IRF7484Q-ND
别名：*IRF7484Q
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 24A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
型号：
IRL5602SPBF
仓库库存编号：
IRL5602SPBF-ND
别名：*IRL5602SPBF
SP001572782
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7433TRPBF
仓库库存编号：
IRF7433PBFCT-ND
别名：*IRF7433TRPBF
IRF7433PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 24A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
型号：
IRL5602STRRPBF
仓库库存编号：
IRL5602STRRPBF-ND
别名：SP001576450
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7701GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7701GTRPBFCT-ND
别名：IRF7701GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7702GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7702GTRPBFCT-ND
别名：IRF7702GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 24A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
型号：
IRL5602STRLPBF
仓库库存编号：
IRL5602STRLPBF-ND
别名：SP001573916
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
型号：
IRF7702TRPBF
仓库库存编号：
IRF7702TRPBFCT-ND
别名：IRF7702TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 7.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL802SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL802SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL802SN L6327INCT
BSL802SN L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS806NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS806NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS806N L6327
BSS806N L6327-ND
SP000464848
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS816NW L6327
仓库库存编号：
BSS816NW L6327-ND
别名：SP000464852
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7484TRPBF
仓库库存编号：
IRF7484TRPBFCT-ND
别名：IRF7484TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7701TRPBF
仓库库存编号：
IRF7701TRPBFCT-ND
别名：IRF7701TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD816SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSD816SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSD816SN L6327CT
BSD816SN L6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7484Q
仓库库存编号：
AUIRF7484Q-ND
别名：SP001517960
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
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