产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 700mA(Ta) 900mW(Ta) 3-DFN(1.0 x 0.60)
型号:
AON1605_001
仓库库存编号:
AON1605_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 700mA(Ta) 900mW(Ta) 3-DFN(1.0 x 0.60)
型号:
AON1606_001
仓库库存编号:
AON1606_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.5W(Ta) 6-DFN(2x2)
型号:
AON2701L#A
仓库库存编号:
AON2701L#A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x3)
型号:
AON4407_003
仓库库存编号:
AON4407_003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L_002
仓库库存编号:
AON4407L_002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L_003
仓库库存编号:
AON4407L_003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Ta) 1.7W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4705L
仓库库存编号:
AON4705L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 11A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4437L
仓库库存编号:
AO4437L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH SC89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 500mA(Ta) 280mW(Ta) SC-89-3
型号:
AO5404E_001
仓库库存编号:
AO5404E_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH SC89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 500mA(Ta) 280mW(Ta) SC-89-3
型号:
AO5404EL
仓库库存编号:
AO5404EL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7A(Ta) 2.7W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6411
仓库库存编号:
AO6411-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 700mA(Ta) 350mW(Ta) SC-70(SOT323)
型号:
AO7403_001
仓库库存编号:
AO7403_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.5W(Ta) 6-DFN(2x2)
型号:
AON2701_001
仓库库存编号:
AON2701_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L
仓库库存编号:
AON4407L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 900mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301CX RFG
仓库库存编号:
TSM2301CX RFGTR-ND
别名:TSM2301CX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 900mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301CX RFG
仓库库存编号:
TSM2301CX RFGCT-ND
别名:TSM2301CX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 900mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301CX RFG
仓库库存编号:
TSM2301CX RFGDKR-ND
别名:TSM2301CX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 13.5A 1.2W 8-SO
型号:
FDS4465_SN00187
仓库库存编号:
FDS4465_SN00187-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602S
仓库库存编号:
IRL5602S-ND
别名:*IRL5602S
Q803261
SP001573924
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401TR
仓库库存编号:
IRLML6401CT-ND
别名:*IRLML6401TR
IRLML6401
IRLML6401-ND
IRLML6401CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-262
型号:
IRL5602L
仓库库存编号:
IRL5602L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IRL5602
仓库库存编号:
IRL5602-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRL
仓库库存编号:
IRL5602STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRR
仓库库存编号:
IRL5602STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Tc) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701
仓库库存编号:
IRF7701-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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