产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Tc) 2.45W(Ta),13.1W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB419DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB419DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB419DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 50A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4448DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4448DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4448DY-T1-E3CT
SI4448DY-T1-GE3CT
SI4448DY-T1-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6104(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6104(TE85L,F,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8115(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8115(TE12L,Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 6A(Ta) 1.6W(Ta),20W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8105(TE12L,Q,M
仓库库存编号:
TPCA8105(TE12L,Q,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8102(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8102(TE85L,F,M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1065X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1065X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1065X-T1-GE3CT
SI1065XT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.5A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5447DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5447DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5447DC-T1-GE3CT
SI5447DCT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 4A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6433BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6433BDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6433BDQ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6463BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6463BDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6463BDQ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7107DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7107DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7107DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7411DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7411DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7411DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 12.5A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7485DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7485DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7485DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA411DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA411DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA411DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Tc) 1.5W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD25301W1015
仓库库存编号:
296-24259-1-ND
别名:296-24259-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJD3182FZTAG
仓库库存编号:
NTLJD3182FZTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJD3182FZTBG
仓库库存编号:
NTLJD3182FZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3180PZTAG
仓库库存编号:
NTLJS3180PZTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3180PZTBG
仓库库存编号:
NTLJS3180PZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.5A(Ta) 640mW(Ta) ChipFET?
型号:
NTHD5904NT1G
仓库库存编号:
NTHD5904NT1GOSCT-ND
别名:NTHD5904NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.4A(Tj) 1.3W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHS2101PT1G
仓库库存编号:
NTHS2101PT1GOSCT-ND
别名:NTHS2101PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 215mA(Ta) 280mW(Ta) SOT-723
型号:
NTK3142PT1G
仓库库存编号:
NTK3142PT1GOSCT-ND
别名:NTK3142PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.4A(Ta) 780mW(Ta) Micro8?
型号:
NTTS2P02R2G
仓库库存编号:
NTTS2P02R2GOSCT-ND
别名:NTTS2P02R2GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.4W(Ta) MicroFET 2x2 薄型
型号:
FDFMA2P859T
仓库库存编号:
FDFMA2P859TCT-ND
别名:FDFMA2P859TCT
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Tc) 2.4W(Ta) 6-SON
型号:
CSD25302Q2
仓库库存编号:
296-25444-1-ND
别名:296-25444-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
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