产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(997)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(997)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(54)
Diodes Incorporated(113)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(113)
Infineon Technologies(41)
Micro Commercial Co(9)
Nexperia USA Inc.(83)
NXP USA Inc.(26)
ON Semiconductor(102)
Panasonic Electronic Components(5)
Renesas Electronics America(2)
Rohm Semiconductor(26)
STMicroelectronics(16)
Taiwan Semiconductor Corporation(27)
Texas Instruments(9)
Torex Semiconductor Ltd(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(45)
Vishay Siliconix(322)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG311N
仓库库存编号:
FDG311NCT-ND
别名:FDG311NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB422EDK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB422EDK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB422EDK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.5A(Ta) 730mW(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP1022UFDF-7
仓库库存编号:
DMP1022UFDF-7DICT-ND
别名:DMP1022UFDF-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7405BDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7405BDN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4465ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4465ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4465ADY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.3W(Ta),3.1W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5853DDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5853DDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5853DDC-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) 6-DSBGA
型号:
CSD25304W1015T
仓库库存编号:
296-38024-1-ND
别名:296-38024-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta) 350mW(Ta),5.43W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ390UNEYL
仓库库存编号:
1727-2234-1-ND
别名:1727-2234-1
568-12504-1
568-12504-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 500mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ950UPELYL
仓库库存编号:
1727-2599-1-ND
别名:1727-2599-1
568-13058-1
568-13058-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3J56ACT,L3F
仓库库存编号:
SSM3J56ACTL3FCT-ND
别名:SSM3J56ACTL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI3415-TP
仓库库存编号:
SI3415-TPMSCT-ND
别名:SI3415-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2305-TP
仓库库存编号:
SI2305-TPMSCT-ND
别名:SI2305-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.78A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ390UN,315
仓库库存编号:
1727-5861-1-ND
别名:1727-5861-1
568-7442-1
568-7442-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 450mA(Ta) 190mW(Ta)
型号:
SI1013CX-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1013CX-T1-GE3CT-ND
别名:SI1013CX-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1A XQFN3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 360mW(Ta),3.125W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ350UPEYL
仓库库存编号:
1727-2320-1-ND
别名:1727-2320-1
568-12606-1
568-12606-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB370UNE,315
仓库库存编号:
1727-1379-1-ND
别名:1727-1379-1
568-10842-1
568-10842-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3493DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3493DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3493DDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 900mW(Tc) 4-MICRO FOOT?(0.8x0.8)
型号:
SI8823EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8823EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8823EDB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc)
型号:
SI1424EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1424EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1424EDH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta),8A(Tc) 4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3429EDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3429EDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3429EDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 8A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) DFN2020-6J
型号:
MCM1208-TP
仓库库存编号:
MCM1208-TPMSCT-ND
别名:MCM1208-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Tc) 2.8W(Tc) 4-MICRO FOOT?(1.6x1.6)
型号:
SI8481DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8481DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8481DB-T1-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4424CS RVG
仓库库存编号:
TSM4424CS RVGTR-ND
别名:TSM4424CS RLG
TSM4424CS RLGTR
TSM4424CS RLGTR-ND
TSM4424CS RVGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4424CS RVG
仓库库存编号:
TSM4424CS RVGCT-ND
别名:TSM4424CS RLGCT
TSM4424CS RLGCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4424CS RLG
仓库库存编号:
TSM4424CS RVGDKR-ND
别名:TSM4424CS RLGDKR
TSM4424CS RLGDKR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号