产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(997)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(997)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(54)
Diodes Incorporated(113)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(113)
Infineon Technologies(41)
Micro Commercial Co(9)
Nexperia USA Inc.(83)
NXP USA Inc.(26)
ON Semiconductor(102)
Panasonic Electronic Components(5)
Renesas Electronics America(2)
Rohm Semiconductor(26)
STMicroelectronics(16)
Taiwan Semiconductor Corporation(27)
Texas Instruments(9)
Torex Semiconductor Ltd(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(45)
Vishay Siliconix(322)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7123DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7123DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7123DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 840mW（Ta） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS3A08PZTAG
仓库库存编号：
NTTFS3A08PZTAGOSCT-ND
别名：NTTFS3A08PZTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS4465_F085
仓库库存编号：
FDS4465_F085CT-ND
别名：FDS4465_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6401GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML6401GTRPBFCT-ND
别名：IRLML6401GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
型号：
PMZB320UPEYL
仓库库存编号：
1727-2329-1-ND
别名：1727-2329-1
568-12615-1
568-12615-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 530mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
NX3008NBKMB,315
仓库库存编号：
1727-1234-1-ND
别名：1727-1234-1
568-10439-1
568-10439-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV32UP,215
仓库库存编号：
1727-1153-1-ND
别名：1727-1153-1
568-10321-1
568-10321-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7410TRPBF
仓库库存编号：
IRF7410TRPBFCT-ND
别名：IRF7410TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ290UNE2YL
仓库库存编号：
1727-2233-1-ND
别名：1727-2233-1
568-12503-1
568-12503-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 120mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
型号：
FDV302P
仓库库存编号：
FDV302PCT-ND
别名：FDV302PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.37A（Ta） 329mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
型号：
NTS4101PT1G
仓库库存编号：
NTS4101PT1GOSCT-ND
别名：NTS4101PT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2302CDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2302CDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2302CDS-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 960mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR2101PT1G
仓库库存编号：
NTR2101PT1GOSCT-ND
别名：NTR2101PT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN338P
仓库库存编号：
FDN338PCT-ND
别名：FDN338PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS331N
仓库库存编号：
NDS331NCT-ND
别名：NDS331NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
详细描述：表面贴装 P 沟道 860mA（Ta） 170mW（Ta） SOT-563
型号：
NTZS3151PT1G
仓库库存编号：
NTZS3151PT1GOSCT-ND
别名：NTZS3151PT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN337N
仓库库存编号：
FDN337NCT-ND
别名：FDN337NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2305CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2305CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2305CDS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.1A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMP1022UFDE-7
仓库库存编号：
DMP1022UFDE-7DICT-ND
别名：DMP1022UFDE-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN304P
仓库库存编号：
FDN304PCT-ND
别名：FDN304PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 2.7W（Ta） 6-WSON（2x2）
型号：
CSD13202Q2
仓库库存编号：
296-38911-1-ND
别名：296-38911-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
详细描述：P 沟道 20A（Ta） 2.9W（Ta） 6-WSON（2x2）
型号：
CSD25310Q2
仓库库存编号：
296-38915-1-ND
别名：296-38915-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2302CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2302CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2302CDS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 1.25W（Ta），1.8W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2336DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2336DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2336DS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3473CDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3473CDV-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
