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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11C60
  仓库库存编号：AOTF11C60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60
  仓库库存编号：FCPF11N60-ND
  别名：FCPF11N60_NL
  FCPF11N60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11S60
  仓库库存编号：AOTF11S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 178W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW11S60
  仓库库存编号：AOW11S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF11S60
  仓库库存编号：AOWF11S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11S60L
  仓库库存编号：AOTF11S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT11C60L
  仓库库存编号：AOT11C60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8N60CTM
  仓库库存编号：FQB8N60CTMFSCT-ND
  别名：FQB8N60CTMFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK10A60DSTA4QM-ND
  别名：TK10A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R6N50P
  仓库库存编号：IXTY1R6N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMN90H8D5HCT
  仓库库存编号：DMN90H8D5HCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 500V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK3199
  仓库库存编号：2SK3199-ND
  别名：2SK3199 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 28W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMG7N65SCTI
  仓库库存编号：DMG7N65SCTI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP12N60C
  仓库库存编号：FQP12N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK3A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK3A60DA(STA4QM)
  TK3A60DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PCH 500V 2A MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 2.15A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5P20RDTU
  仓库库存编号：FQPF5P20RDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP7N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2R4N50P
  仓库库存编号：IXTY2R4N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY3N50P
  仓库库存编号：IXTY3N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N60P
  仓库库存编号：IXTP1R4N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2N60P
  仓库库存编号：IXTY2N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N80P
  仓库库存编号：IXTP2N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2N80P
  仓库库存编号：IXTY2N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK8P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK8P60WRVQCT-ND
  别名：TK8P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），8A（Tc） 8.3W（Ta），156W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：AOV11S60
  仓库库存编号：785-1683-1-ND
  别名：785-1683-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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