产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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IXYS
MOSFET NCH 850V 40A TO268HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 860W(Tc) TO-268
型号:
IXFT40N85XHV
仓库库存编号:
IXFT40N85XHV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N85XHV
仓库库存编号:
IXFT50N85XHV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
IXFK100N65X2
仓库库存编号:
IXFK100N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 370W(Tc) D3 [S]
型号:
APT20M38SVRG
仓库库存编号:
APT20M38SVRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXTH80N65X2
仓库库存编号:
IXTH80N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX120N65X2
仓库库存编号:
IXTX120N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120N65X2
仓库库存编号:
IXTK120N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) TO-264
型号:
IXFK120N65X2
仓库库存编号:
IXFK120N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT38F80L
仓库库存编号:
APT38F80L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
850V/66A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 66A(Tc) 1250W(Tc) TO-264
型号:
IXFK66N85X
仓库库存编号:
IXFK66N85X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 108A(Tc) 890W(Tc) SOT-227
型号:
IXFN120N65X2
仓库库存编号:
IXFN120N65X2-ND
别名:632519
IXFN120N65X2X
IXFN120N65X2X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 1785W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB90N85X
仓库库存编号:
IXFB90N85X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 41A(Tc) 378W(Tc) SOT-227
型号:
APT5010JLLU3
仓库库存编号:
APT5010JLLU3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:底座安装 N 沟道 65A(Tc) 830W(Tc) SOT-227
型号:
IXFN66N85X
仓库库存编号:
IXFN66N85X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10045JLL
仓库库存编号:
APT10045JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 3.3W(Ta) SOT-223
型号:
STN3N40K3
仓库库存编号:
497-11222-1-ND
别名:497-11222-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 670mA(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT3P20TF
仓库库存编号:
FQT3P20TFCT-ND
别名:FQT3P20TFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD041N25TL
仓库库存编号:
RCD041N25TLCT-ND
别名:RCD041N25TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD5T40P
仓库库存编号:
785-1695-1-ND
别名:785-1695-1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 74W(Tc) TO-220
型号:
AOT3N50
仓库库存编号:
785-1174-5-ND
别名:785-1174-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ3N45K3-AP
仓库库存编号:
497-10969-1-ND
别名:497-10969-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tc) 96W(Tc) DPAK
型号:
NDD03N80ZT4G
仓库库存编号:
NDD03N80ZT4GOSCT-ND
别名:NDD03N80ZT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P10TM
仓库库存编号:
FQD5P10TMFSCT-ND
别名:FQD5P10TMFSCT
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 3.4A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5P20
仓库库存编号:
FQPF5P20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 35W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N50CTU
仓库库存编号:
FQU3N50CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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