产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK
型号：
IRFS41N15DTRR
仓库库存编号：
IRFS41N15DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） TO-262
型号：
IRFSL41N15D
仓库库存编号：
IRFSL41N15D-ND
别名：*IRFSL41N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 44A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB42N20D
仓库库存编号：
IRFB42N20D-ND
别名：*IRFB42N20D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450
仓库库存编号：
IRF7450-ND
别名：*IRF7450
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7465
仓库库存编号：
IRF7465-ND
别名：*IRF7465
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7453
仓库库存编号：
IRF7453-ND
别名：*IRF7453
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7451
仓库库存编号：
IRF7451-ND
别名：*IRF7451
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR12N25D
仓库库存编号：
IRFR12N25D-ND
别名：*IRFR12N25D
SP001572818
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU12N25D
仓库库存编号：
IRFU12N25D-ND
别名：*IRFU12N25D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450TR
仓库库存编号：
IRF7450TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7451TR
仓库库存编号：
IRF7451TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7453TR
仓库库存编号：
IRF7453TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTR
仓库库存编号：
IRFR13N15DTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTRL
仓库库存编号：
IRFR13N15DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTRR
仓库库存编号：
IRFR13N15DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTR
仓库库存编号：
IRFR9N20DTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRL
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRR
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 580W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS3810
仓库库存编号：
IRFPS3810-ND
别名：*IRFPS3810
Q1244033
SP001560530
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5802TR
仓库库存编号：
IRF5802TRCT-ND
别名：*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802CT-ND
IRF5802TRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4315
仓库库存编号：
IRFL4315-ND
别名：*IRFL4315
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 1.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF3000
仓库库存编号：
IRF3000-ND
别名：*IRF3000
Q1439458
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU15N20DPBF
仓库库存编号：
IRFU15N20DPBF-ND
别名：*IRFU15N20DPBF
SP001576362
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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