产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7452
仓库库存编号：
IRF7452-ND
别名：*IRF7452
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7464
仓库库存编号：
IRF7464-ND
别名：*IRF7464
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB17N20D
仓库库存编号：
IRFB17N20D-ND
别名：*IRFB17N20D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB23N20D
仓库库存编号：
IRFB23N20D-ND
别名：*IRFB23N20D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB33N15D
仓库库存编号：
IRFB33N15D-ND
别名：*IRFB33N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 41A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB41N15D
仓库库存编号：
IRFB41N15D-ND
别名：*IRFB41N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 41A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
IRF3515L
仓库库存编号：
IRF3515L-ND
别名：*IRF3515L
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL17N20D
仓库库存编号：
IRFSL17N20D-ND
别名：*IRFSL17N20D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL23N15D
仓库库存编号：
IRFSL23N15D-ND
别名：*IRFSL23N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL23N20D
仓库库存编号：
IRFSL23N20D-ND
别名：*IRFSL23N20D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL33N15D
仓库库存编号：
IRFSL33N15D-ND
别名：*IRFSL33N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL59N10D
仓库库存编号：
IRFSL59N10D-ND
别名：*IRFSL59N10D
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3515STRL
仓库库存编号：
IRF3515STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3515STRR
仓库库存编号：
IRF3515STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7452TR
仓库库存编号：
IRF7452TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7458TR
仓库库存编号：
IRF7458TR-ND
别名：SP001575116
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7464TR
仓库库存编号：
IRF7464TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号：
IRFR13N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTR
仓库库存编号：
IRFR13N20DTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTRR
仓库库存编号：
IRFR13N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR18N15DTRL
仓库库存编号：
IRFR18N15DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR18N15DTR
仓库库存编号：
IRFR18N15DTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR18N15DTRR
仓库库存编号：
IRFR18N15DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRR
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IRFS31N20DTRR-ND
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