产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(4588)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(4588)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(315)
Diodes Incorporated(31)
Exar Corporation(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1001)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(159)
IXYS(686)
Microchip Technology(19)
Microsemi Corporation(348)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(114)
Panasonic Electronic Components(8)
Renesas Electronics America(84)
Rohm Semiconductor(120)
Sanken(16)
STMicroelectronics(644)
Taiwan Semiconductor Corporation(203)
Toshiba Semiconductor and Storage(226)
Vishay Semiconductor Diodes Division(2)
Vishay Siliconix(470)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 32.9W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M005A050FG
仓库库存编号:
GP2M005A050FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) TO-220
型号:
GP2M005A050HG
仓库库存编号:
GP2M005A050HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.2A(Tc) 98.4W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M005A060PG
仓库库存编号:
GP2M005A060PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP2M007A065HG
仓库库存编号:
GP2M007A065HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M008A060CG
仓库库存编号:
GP2M008A060CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M008A060FG
仓库库存编号:
GP2M008A060FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP2M008A060HG
仓库库存编号:
GP2M008A060HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M008A060PG
仓库库存编号:
GP2M008A060PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M009A090FG
仓库库存编号:
GP2M009A090FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M009A090NG
仓库库存编号:
GP2M009A090NG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP2M010A060H
仓库库存编号:
GP2M010A060H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP2M012A060H
仓库库存编号:
GP2M012A060H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M020A050F
仓库库存编号:
GP2M020A050F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M020A050N
仓库库存编号:
GP2M020A050N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M023A050N
仓库库存编号:
GP2M023A050N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 9.4A(Tc) 3.13W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9P25TM
仓库库存编号:
FQB9P25TMCT-ND
别名:FQB9P25TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A050FG
仓库库存编号:
1560-1154-5-ND
别名:1560-1154-1
1560-1154-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
GP1M003A080CH
仓库库存编号:
1560-1155-1-ND
别名:1560-1155-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A080FH
仓库库存编号:
1560-1156-5-ND
别名:1560-1156-1
1560-1156-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A090C
仓库库存编号:
1560-1157-1-ND
别名:1560-1157-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A090PH
仓库库存编号:
1560-1158-5-ND
别名:1560-1158-1
1560-1158-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M005A050FSH
仓库库存编号:
1560-1159-5-ND
别名:1560-1159-1
1560-1159-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 92.5W(Tc) TO-220
型号:
GP1M005A050HS
仓库库存编号:
1560-1160-5-ND
别名:1560-1160-1
1560-1160-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A065FH
仓库库存编号:
1560-1161-5-ND
别名:1560-1161-1
1560-1161-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A070FH
仓库库存编号:
1560-1162-5-ND
别名:1560-1162-1
1560-1162-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号