以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M010A060FH
  仓库库存编号：GP1M010A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M010A080N
  仓库库存编号：GP1M010A080N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M011A050FSH
  仓库库存编号：GP1M011A050FSH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M011A050HS
  仓库库存编号：GP1M011A050HS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M012A060FH
  仓库库存编号：GP1M012A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M013A050FH
  仓库库存编号：GP1M013A050FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 231W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M015A050H
  仓库库存编号：GP1M015A050H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M016A025PG
  仓库库存编号：GP1M016A025PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M016A060FH
  仓库库存编号：GP1M016A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M018A020CG
  仓库库存编号：GP1M018A020CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M018A020FG
  仓库库存编号：GP1M018A020FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3P
  
  型号：GP1M020A060M
  仓库库存编号：GP1M020A060M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M020A060N
  仓库库存编号：GP1M020A060N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A060CG
  仓库库存编号：GP2M002A060CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A060HG
  仓库库存编号：GP2M002A060HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A060PG
  仓库库存编号：GP2M002A060PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A065CG
  仓库库存编号：GP2M002A065CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M002A065FG
  仓库库存编号：GP2M002A065FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A065HG
  仓库库存编号：GP2M002A065HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A065PG
  仓库库存编号：GP2M002A065PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 86.2W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M004A060CG
  仓库库存编号：GP2M004A060CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M004A060FG
  仓库库存编号：GP2M004A060FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 86.2W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M004A060HG
  仓库库存编号：GP2M004A060HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M004A065CG
  仓库库存编号：GP2M004A065CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 98.4W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M004A065HG
  仓库库存编号：GP2M004A065HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
• 
  
  无铅
• 搜索