产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.3A(Tc) 45W(Tc) TO-251A
型号:
AOI1N60L
仓库库存编号:
785-1536-5-ND
别名:AOI1N60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF14N50FD
仓库库存编号:
AOTF14N50FD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2N60
仓库库存编号:
AOTF2N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8N60
仓库库存编号:
AOTF8N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 89W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU7S65
仓库库存编号:
785-1523-5-ND
别名:AOU7S65-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 216W(Tc) I2PAK
型号:
FCI25N60N
仓库库存编号:
FCI25N60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 216W(Tc) TO-220
型号:
FCP25N60N
仓库库存编号:
FCP25N60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-GE3TR-ND
别名:SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.3A(Tc) 2W(Ta),28W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4197FS
仓库库存编号:
2SK4197FS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4198FS
仓库库存编号:
2SK4198FS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK16A60W5,S4VX
仓库库存编号:
TK16A60W5S4VX-ND
别名:TK16A60W5S4VX
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 100W(Tc) DPAK
型号:
TK12P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK12P60WRVQCT-ND
别名:TK12P60WRVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 100W(Tc) I-Pak
型号:
TK12Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK12Q60WS1VQ-ND
别名:TK12Q60WS1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
AOK10N90
仓库库存编号:
AOK10N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10N90
仓库库存编号:
AOTF10N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 80W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1339-E
仓库库存编号:
2SK1339-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1341-E
仓库库存编号:
2SK1341-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1342-E
仓库库存编号:
2SK1342-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1775-E
仓库库存编号:
2SK1775-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1859-E
仓库库存编号:
2SK1859-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 200mA(Ta) 750mW(Ta) TO-92-3
型号:
HS54095TZ-E
仓库库存编号:
HS54095TZ-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 40A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK2006DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK2006DPE-00#J3-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK2009DPM-00#T0
仓库库存编号:
RJK2009DPM-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 20A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2057DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2057DPA-00#J0-ND
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