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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX120N50FU6
  仓库库存编号：RDX120N50FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 85W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5N50
  仓库库存编号：FDP5N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 85A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 21A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），75W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1440
  仓库库存编号：785-1127-1-ND
  别名：785-1127-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80DA15T1G
  仓库库存编号：APTC80DA15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80SK15T1G
  仓库库存编号：APTC80SK15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 40A（Tc） 657W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA18T1G
  仓库库存编号：APTM100DA18T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA40T1G
  仓库库存编号：APTM100DA40T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK40T1G
  仓库库存编号：APTM100SK40T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 65A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 65A（Tc） 1250W（Tc） 模块
  
  型号：APTM100U13SG
  仓库库存编号：APTM100U13SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 60A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120DA15G
  仓库库存编号：APTM120DA15G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 34A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM120DA29TG
  仓库库存编号：APTM120DA29TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120DA56T1G
  仓库库存编号：APTM120DA56T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120DA68T1G
  仓库库存编号：APTM120DA68T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 60A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120SK15G
  仓库库存编号：APTM120SK15G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 34A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM120SK29TG
  仓库库存编号：APTM120SK29TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120SK56T1G
  仓库库存编号：APTM120SK56T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120SK68T1G
  仓库库存编号：APTM120SK68T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 160A（Tc） 3290W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120U10DAG
  仓库库存编号：APTM120U10DAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 103A（Tc） 2272W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120UM95FAG
  仓库库存编号：APTM120UM95FAG-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 175A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20DAM10TG
  仓库库存编号：APTM20DAM10TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 200V 175A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20SKM10TG
  仓库库存编号：APTM20SKM10TG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 317A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） 模块
  
  型号：APTM20UM05SG
  仓库库存编号：APTM20UM05SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 200V 195A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 195A（Tc） 780W（Tc） 模块
  
  型号：APTM20UM09SG
  仓库库存编号：APTM20UM09SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 99A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 99A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50DAM35TG
  仓库库存编号：APTM50DAM35TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 90A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 90A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50DAM38CTG
  仓库库存编号：APTM50DAM38CTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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