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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 278A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 278A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM10SKM05TG
  仓库库存编号：APTM10SKM05TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30M19JVFR
  仓库库存编号：APT30M19JVFR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT20M11JVFR
  仓库库存编号：APT20M11JVFR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 62A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JVR
  仓库库存编号：APT60M75JVR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APL602J
  仓库库存编号：APL602J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20DAM08TG
  仓库库存编号：APTM20DAM08TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20SKM08TG
  仓库库存编号：APTM20SKM08TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 43A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM100DA18TG
  仓库库存编号：APTM100DA18TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 43A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM100SK18TG
  仓库库存编号：APTM100SK18TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 70A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M60JLL
  仓库库存编号：APT60M60JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 690AW（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT12031JFLL
  仓库库存编号：APT12031JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 2500V 5A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX5N250
  仓库库存编号：IXTX5N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 45A（Tc） 568W（Tc） SP1
  
  型号：APTML60U12R020T1AG
  仓库库存编号：APTML60U12R020T1AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 52A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 568W（Tc） SP1
  
  型号：APTML50UM90R020T1AG
  仓库库存编号：APTML50UM90R020T1AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 143A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 143A（Tc） 833W（Tc） SP4
  
  型号：APTC60DAM18CTG
  仓库库存编号：APTC60DAM18CTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 163A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50DAM19G
  仓库库存编号：APTM50DAM19G-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 163A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50SKM19G
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  MOSFET N-CH 200V 317A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20DAM05G
  仓库库存编号：APTM20DAM05G-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 317A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20SKM05G
  仓库库存编号：APTM20SKM05G-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 495A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM10DAM02G
  仓库库存编号：APTM10DAM02G-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 495A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM10SKM02G
  仓库库存编号：APTM10SKM02G-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 180A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50DAM17G
  仓库库存编号：APTM50DAM17G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 180A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50SKM17G
  仓库库存编号：APTM50SKM17G-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 372A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20DAM04G
  仓库库存编号：APTM20DAM04G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100DAM90G
  仓库库存编号：APTM100DAM90G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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