产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 220A(Tc) 789W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FC220SA20
仓库库存编号:
VS-FC220SA20-ND
别名:VSFC220SA20
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N80Q2
仓库库存编号:
IXFN38N80Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 20A(Tc) 595W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN20N120P
仓库库存编号:
IXFN20N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 20A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK20N150
仓库库存编号:
IXTK20N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 70A(Tc) 450W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M40JVFR
仓库库存编号:
APT30M40JVFR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 70A(Tc) 600W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE70NM60
仓库库存编号:
497-3173-5-ND
别名:497-3173-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N50Q2
仓库库存编号:
IXFN80N50Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 21A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL40N110P
仓库库存编号:
IXFL40N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 39A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT6013JLL
仓库库存编号:
APT6013JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 63A(Tc) 520W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F132N50P3
仓库库存编号:
MMIX1F132N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 38A(Tc) 890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB38N100Q2
仓库库存编号:
IXFB38N100Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN72N55Q2
仓库库存编号:
IXFN72N55Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1500V 7.5A(Tc) 545W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN8N150L
仓库库存编号:
IXTN8N150L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 24A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL32N120P
仓库库存编号:
IXFL32N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 31A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA30T1G
仓库库存编号:
APTM120DA30T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12057B2FLLG
仓库库存编号:
APT12057B2FLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 30A(Tc) 694W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F44N100Q3
仓库库存编号:
MMIX1F44N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 25A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN30N110P
仓库库存编号:
IXFN30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 893W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT60M75L2LLG
仓库库存编号:
APT60M75L2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 23A(Tc) 595W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N100P
仓库库存编号:
IXFN26N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 540W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN17N120L
仓库库存编号:
IXTN17N120L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 23A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N120P
仓库库存编号:
IXFN26N120P-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 893W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT60M75L2FLLG
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N100Q3
仓库库存编号:
IXFN44N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 35A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N110Q3
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IXFN40N110Q3-ND
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