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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK17N120L
  仓库库存编号：IXTK17N120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT20N50D
  仓库库存编号：IXTT20N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX46N50L
  仓库库存编号：IXTX46N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK22N100L
  仓库库存编号：IXTK22N100L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK46N50L
  仓库库存编号：IXTK46N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 33A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT32M80J
  仓库库存编号：APT32M80J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N100Q2
  仓库库存编号：IXFK30N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N100Q2
  仓库库存编号：IXFX30N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30M40JVR
  仓库库存编号：APT30M40JVR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12057B2LLG
  仓库库存编号：APT12057B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU2
  仓库库存编号：APT26M100JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU3
  仓库库存编号：APT26M100JCU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58F50J
  仓库库存编号：APT58F50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58M50J
  仓库库存编号：APT58M50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 37A（Tc） 360W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL70N60Q2
  仓库库存编号：IXFL70N60Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M120JCU2
  仓库库存编号：APT20M120JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M120JCU3
  仓库库存编号：APT20M120JCU3-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10035B2FLLG
  仓库库存编号：APT10035B2FLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT12057LFLLG
  仓库库存编号：APT12057LFLLG-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 50A（Tc） 1135W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB50N80Q2
  仓库库存编号：IXFB50N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 40A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB40N110P
  仓库库存编号：IXFB40N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8020B2LLG
  仓库库存编号：APT8020B2LLG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 65A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M80L2VRG
  仓库库存编号：APT60M80L2VRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT29F80J
  仓库库存编号：APT29F80J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL30N120P
  仓库库存编号：IXFL30N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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