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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 28A（Tc） 416W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR38N80Q2
  仓库库存编号：IXFR38N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 97A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M22JVRU2
  仓库库存编号：APT20M22JVRU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 97A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M22JVRU3
  仓库库存编号：APT20M22JVRU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 73A（Tc） 481W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN73N30Q
  仓库库存编号：IXFN73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 44A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N80Q3
  仓库库存编号：IXFX44N80Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 200V 108A
  详细描述：N 沟道 200V 108A（Tc） 405W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FC80NA20
  仓库库存编号：VS-FC80NA20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 44A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N80Q3
  仓库库存编号：IXFK44N80Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN20N120
  仓库库存编号：IXFN20N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT50M65B2LLG
  仓库库存编号：APT50M65B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 8A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX8N150L
  仓库库存编号：IXTX8N150L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 16A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N110P
  仓库库存编号：IXFR30N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB72N55Q2
  仓库库存编号：IXFB72N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT39M60J
  仓库库存编号：APT39M60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 100A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB100N50Q3
  仓库库存编号：IXFB100N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 82A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB82N60Q3
  仓库库存编号：IXFB82N60Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 62A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB62N80Q3
  仓库库存编号：IXFB62N80Q3-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 54A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT6010B2LLG
  仓库库存编号：APT6010B2LLG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 51A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50M75JLLU2
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  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA33T1G
  仓库库存编号：APTM100DA33T1G-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK33T1G
  仓库库存编号：APTM100SK33T1G-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL80N50Q2
  仓库库存编号：IXFL80N50Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD2
  仓库库存编号：IXFN64N50PD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 37A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N100P
  仓库库存编号：IXFN44N100P-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JCU2
  仓库库存编号：APT58M50JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX17N120L
  仓库库存编号：IXTX17N120L-ND
  
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