产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 26A(Tc) 780W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK26N100P
仓库库存编号:
IXFK26N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 26A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX26N120P
仓库库存编号:
IXFX26N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 38A(Tc) 357W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT38M50J
仓库库存编号:
APT38M50J-ND
别名:APT38M50JMP
APT38M50JMP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 52A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB52N90P
仓库库存编号:
IXFB52N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 35A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT34F100B2
仓库库存编号:
APT34F100B2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 31A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M60J
仓库库存编号:
APT30M60J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 48A(Tc) 450W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE48NM50
仓库库存编号:
497-3170-5-ND
别名:497-3170-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 27A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX?
型号:
APT26F120B2
仓库库存编号:
APT26F120B2-ND
别名:APT26F120B2MI
APT26F120B2MI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 67A(Tc) 694W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT50M65LLLG
仓库库存编号:
APT50M65LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 58A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M50JU3
仓库库存编号:
APT58M50JU3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 44A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB44N100P
仓库库存编号:
IXFB44N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 60A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX60N55Q2
仓库库存编号:
IXFX60N55Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 550V 60A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK60N55Q2
仓库库存编号:
IXFK60N55Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 67A(Tc) 694W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT50M65LFLLG
仓库库存编号:
APT50M65LFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 80A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX80N50Q3
仓库库存编号:
IXFX80N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 43A(Tc) 565W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6013LLLG
仓库库存编号:
APT6013LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N90P
仓库库存编号:
IXFN40N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 290W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N100P
仓库库存编号:
IXFR26N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N110P
仓库库存编号:
IXFX30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 15A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N120P
仓库库存编号:
IXFR26N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK38N80Q2
仓库库存编号:
IXFK38N80Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX38N80Q2
仓库库存编号:
IXFX38N80Q2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 27A(Tc) 690W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N100P
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IXFN32N100P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK30N110P
仓库库存编号:
IXFK30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 142A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT10M11JVRU2
仓库库存编号:
APT10M11JVRU2-ND
别名:APT10M11JVRU2MI
APT10M11JVRU2MI-ND
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