产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 13A(Tc) 290W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR20N120P
仓库库存编号:
IXFR20N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 9A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1201R4BFLLG
仓库库存编号:
APT1201R4BFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 21A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR40N90P
仓库库存编号:
IXFR40N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 40A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK40N90P
仓库库存编号:
IXFK40N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR48N60Q3
仓库库存编号:
IXFR48N60Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 18A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N100Q3
仓库库存编号:
IXFR24N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 35A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT34F100L
仓库库存编号:
APT34F100L-ND
别名:APT34F100LMI
APT34F100LMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 29A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N80P
仓库库存编号:
IXFN32N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 23A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT22F120L
仓库库存编号:
APT22F120L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 500W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6017LLLG
仓库库存编号:
APT6017LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 403W(Tc) D3 [S]
型号:
APT10078SLLG
仓库库存编号:
APT10078SLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 70A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL100N50P
仓库库存编号:
IXFL100N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 55A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL82N60P
仓库库存编号:
IXFL82N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 500W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT6017LFLLG
仓库库存编号:
APT6017LFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66M60L
仓库库存编号:
APT66M60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66F60L
仓库库存编号:
APT66F60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 22A(Tc) 357W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N100P
仓库库存编号:
IXFL44N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 39A(Tc) 694W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N80P
仓库库存编号:
IXFN44N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 50A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN64N50PD3
仓库库存编号:
IXFN64N50PD3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 84A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT84F50L
仓库库存编号:
APT84F50L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 26A(Tc) 780W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX26N100P
仓库库存编号:
IXFX26N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 47A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT44F80B2
仓库库存编号:
APT44F80B2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK52N60Q2
仓库库存编号:
IXFK52N60Q2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX52N60Q2
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IXFX52N60Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 29A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL38N100P
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