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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT23N60Q
  仓库库存编号：IXFT23N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 36A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N55Q
  仓库库存编号：IXFH36N55Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5016BLLG
  仓库库存编号：APT5016BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 67A（Tc） 370W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT20M38BVRG
  仓库库存编号：APT20M38BVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 200V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK88N20Q
  仓库库存编号：IXFK88N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N50P
  仓库库存编号：IXFR64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR48N60P
  仓库库存编号：IXFR48N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 28A（Tc） 375W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT28N50Q
  仓库库存编号：IXFT28N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10N100D
  仓库库存编号：IXTT10N100D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N60P
  仓库库存编号：IXFR64N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 540W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR80N60P3
  仓库库存编号：IXFR80N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 90A（Tc） 1100W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK90N60X
  仓库库存编号：IXFK90N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ40N50Q
  仓库库存编号：IXTQ40N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH40N50Q
  仓库库存编号：IXFH40N50Q-ND
  别名：Q1794352
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH44N50Q3
  仓库库存编号：IXFH44N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5016BFLLG
  仓库库存编号：APT5016BFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 624W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT34M60B
  仓库库存编号：APT34M60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 560W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY60NM60
  仓库库存编号：497-3268-5-ND
  别名：497-3268-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX88N20Q
  仓库库存编号：IXFX88N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 48A（Tc） 370W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30M70BVFRG
  仓库库存编号：APT30M70BVFRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 44A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT44N50Q3
  仓库库存编号：IXFT44N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 18A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT18N100Q3
  仓库库存编号：IXFT18N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 76A（Tc） 543W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA76N60N
  仓库库存编号：FCA76N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT56F50L
  仓库库存编号：APT56F50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 16A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT16N120P
  仓库库存编号：IXFT16N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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