产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT24M80S
仓库库存编号:
APT24M80S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 12A(Tc) 890W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N150
仓库库存编号:
IXTH12N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1500V 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXTT12N150
仓库库存编号:
IXTT12N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH60N60X
仓库库存编号:
IXFH60N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 74A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 74A(Tc) 1400W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK74N50P2
仓库库存编号:
IXFK74N50P2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 890W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N60X
仓库库存编号:
IXFQ60N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 13A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N90P
仓库库存编号:
IXFR24N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N30
仓库库存编号:
IXTH50N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 12A(Tc) 543W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N120P
仓库库存编号:
IXFH12N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 368W(Tc) TO-247-3
型号:
FCH47N60N
仓库库存编号:
FCH47N60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 42A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT42F50S
仓库库存编号:
APT42F50S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 11A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR20N100P
仓库库存编号:
IXFR20N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N60Q
仓库库存编号:
IXFT20N60Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH10N100D
仓库库存编号:
IXTH10N100D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 14A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT13F120S
仓库库存编号:
APT13F120S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3Pak
型号:
APT20M38SVRG/TR
仓库库存编号:
APT20M38SVRG/TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 20A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N80P
仓库库存编号:
IXFR32N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX48N60P
仓库库存编号:
IXFX48N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 56A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M45BVFRG
仓库库存编号:
APT20M45BVFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 45.8A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60NF
仓库库存编号:
FCH47N60NF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 60A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY60NK30Z
仓库库存编号:
497-4432-5-ND
别名:497-4432-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 88A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH88N20Q
仓库库存编号:
IXFH88N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 46A(Ta) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6046ANZC8
仓库库存编号:
R6046ANZC8-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 45A(Tc) 780W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT43F60L
仓库库存编号:
APT43F60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK48N60P
仓库库存编号:
IXFK48N60P-ND
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