产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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分立半导体产品
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14M100B
仓库库存编号:
APT14M100B-ND
别名:APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 166W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR20N80P
仓库库存编号:
IXFR20N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 658W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ44N50P
仓库库存编号:
IXTQ44N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK31J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK31J60W5S1VQ-ND
别名:TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 280W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH21N50Q
仓库库存编号:
IXFH21N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14F100B
仓库库存编号:
APT14F100B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
IXTJ4N150
仓库库存编号:
IXTJ4N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 36A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT36N50P
仓库库存编号:
IXTT36N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N60P
仓库库存编号:
IXTT30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 21A(Tc) 280W(Tc) TO-268
型号:
IXFT21N50Q
仓库库存编号:
IXFT21N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 24A(Tc) 650W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N80P
仓库库存编号:
IXFK24N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXFT18N90P
仓库库存编号:
IXFT18N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 36A(Tc) 650W(Tc) TO-268
型号:
IXFT36N60P
仓库库存编号:
IXFT36N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT14M100S
仓库库存编号:
APT14M100S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 265W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5024BLLG
仓库库存编号:
APT5024BLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 17A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB18N50K
仓库库存编号:
IRFB18N50K-ND
别名:*IRFB18N50K
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 36A(Tc) 650W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK36N60P
仓库库存编号:
IXFK36N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 18A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT17F80S
仓库库存编号:
APT17F80S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Tc) 156W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR36N50P
仓库库存编号:
IXFR36N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 166W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR30N60P
仓库库存编号:
IXFR30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 37A(Tc) 520W(Tc) D3Pak
型号:
APT37F50S
仓库库存编号:
APT37F50S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA47N60
仓库库存编号:
FCA47N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA47N60_F109
仓库库存编号:
FCA47N60_F109FS-ND
别名:FCA47N60_F109-ND
FCA47N60_F109FS
FCA47N60F109
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 375W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH28N50Q
仓库库存编号:
IXFH28N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 24A(Tc) 650W(Tc) TO-268
型号:
IXFT24N80P
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IXFT24N80P-ND
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