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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH36N50P
  仓库库存编号：IXTH36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N60P
  仓库库存编号：IXFH30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT30F50S
  仓库库存编号：APT30F50S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N100P
  仓库库存编号：IXFH10N100P-ND
  别名：Q4374359
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ480P2
  仓库库存编号：IXTQ480P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 379W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV20N80P
  仓库库存编号：IXFV20N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFJ26N50P3
  仓库库存编号：IXFJ26N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N60P
  仓库库存编号：IXFT30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW33N60E-GE3-ND
  别名：SIHW33N60E-GE3CT
  SIHW33N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH160N15T
  仓库库存编号：IXTH160N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT9F100B
  仓库库存编号：APT9F100B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N50P
  仓库库存编号：IXTT30N50P-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT26N60P
  仓库库存编号：IXTT26N60P-ND
  
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  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N120P
  仓库库存编号：IXFH6N120P-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT7M120S
  仓库库存编号：APT7M120S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60P3
  仓库库存编号：IXFT50N60P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N50P3
  仓库库存编号：IXFH50N50P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH15N100P
  仓库库存编号：IXFH15N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N80P
  仓库库存编号：IXFT20N80P-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF200N10T
  仓库库存编号：IXTF200N10T-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N60X
  仓库库存编号：IXFQ50N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA3N150HV
  仓库库存编号：IXTA3N150HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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