产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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分立半导体产品
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N80P
仓库库存编号:
IXFH16N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-247
型号:
IXFH30N60X
仓库库存编号:
IXFH30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 150W(Ta) TO-3P
型号:
RJK5015DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5015DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV96N25T
仓库库存编号:
IXTV96N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 320W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA18N60X
仓库库存编号:
IXFA18N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT26N50P
仓库库存编号:
IXTT26N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 463W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N100P
仓库库存编号:
IXFH12N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N50P
仓库库存编号:
IXTQ30N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ26N60P
仓库库存编号:
IXTQ26N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV16N80P
仓库库存编号:
IXFV16N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXFT14N80P
仓库库存编号:
IXFT14N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 53A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
AOK53S60L
仓库库存编号:
AOK53S60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
AOK53S60
仓库库存编号:
AOK53S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ470P2
仓库库存编号:
IXTQ470P2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT15F60B
仓库库存编号:
APT15F60B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50P
仓库库存编号:
IXFT30N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N60P
仓库库存编号:
IXFT26N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH4N150
仓库库存编号:
IXTH4N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N90P
仓库库存编号:
IXFH12N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60P
仓库库存编号:
IXTQ30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK5015DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK5015DPM-00#T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N80P
仓库库存编号:
IXFH20N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXFT16N80P
仓库库存编号:
IXFT16N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 320W(Tc) TO-247
型号:
IXFH18N60X
仓库库存编号:
IXFH18N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 312W(Tc) TO-220
型号:
FCP067N65S3
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FCP067N65S3-ND
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