产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 350W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH22N50P
仓库库存编号:
IXTH22N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB33N60ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60ET1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP24N60X
仓库库存编号:
IXFP24N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N100P
仓库库存编号:
IXFP7N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP18N60PM
仓库库存编号:
IXTP18N60PM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ76N25T
仓库库存编号:
IXTQ76N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 86A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ86N20T
仓库库存编号:
IXTQ86N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG30N60E-E3-ND
别名:SIHG30N60EE3
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N60P
仓库库存编号:
IXFH18N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA24N60X
仓库库存编号:
IXFA24N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50LCPBF
仓库库存编号:
IRFPC50LCPBF-ND
别名:*IRFPC50LCPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA7N100P
仓库库存编号:
IXFA7N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG33N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG33N60E-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH76N25T
仓库库存编号:
IXTH76N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 165W(Tc) TO-220
型号:
TK20E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK20E60WS1VX-ND
别名:TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 500W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA26N50P3
仓库库存编号:
IXFA26N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 347W(Tc) TO-247
型号:
IXFH16N60P3
仓库库存编号:
IXFH16N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA6N120P TRL
仓库库存编号:
IXFA6N120P TRL-ND
别名:Q10805674
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50N25T
仓库库存编号:
IXTH50N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK2508DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK2508DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N80P
仓库库存编号:
IXFH12N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ96N25T
仓库库存编号:
IXTQ96N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N60X
仓库库存编号:
IXFQ24N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-220
型号:
IXFP30N60X
仓库库存编号:
IXFP30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30.8A(Ta) 240W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK31V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK31V60WLVQCT-ND
别名:TK31V60WLVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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