产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG17N60D-E3
仓库库存编号:
SIHG17N60D-E3-ND
别名:SIHG17N60D-E3CT
SIHG17N60D-E3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 277.8W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG17N60D-GE3
仓库库存编号:
SIHG17N60D-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP12N50P
仓库库存编号:
IXTP12N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA7N80P
仓库库存编号:
IXFA7N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA48N20T
仓库库存编号:
IXTA48N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 208W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA20N60
仓库库存编号:
FCA20N60-ND
别名:FCA20N60_NL
FCA20N60_NL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 208W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA20N60_F109
仓库库存编号:
FCA20N60_F109-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10N60P
仓库库存编号:
IXTP10N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 29.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF9N60NTYDTU
仓库库存编号:
FCPF9N60NTYDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 368W(Tc) TO-247
型号:
AOK9N90
仓库库存编号:
AOK9N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A50D(STA4QM)-ND
别名:TK13A50D(STA4QM)
TK13A50DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
详细描述:通孔 N 沟道 16.5A(Tc) 205W(Tc) TO-3
型号:
FDA16N50LDTU
仓库库存编号:
FDA16N50LDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB22N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60ET5-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA20N50P3
仓库库存编号:
IXFA20N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 110W(Tc) TO-220
型号:
TK12E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK12E60WS1VX-ND
别名:TK12E60W,S1VX(S
TK12E60WS1VX
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK10J80E,S1E
仓库库存编号:
TK10J80ES1E-ND
别名:TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 116W(Tc) TO-220
型号:
FCP13N60N
仓库库存编号:
FCP13N60NFS-ND
别名:FCP13N60N-ND
FCP13N60NFS
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA10N80P
仓库库存编号:
IXFA10N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK14A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK14A55D(STA4QM)-ND
别名:TK14A55D(STA4QM)
TK14A55DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK14C65W5,S1Q
仓库库存编号:
TK14C65W5S1Q-ND
别名:TK14C65W5,S1Q(S
TK14C65W5,S1Q(S2
TK14C65W5,S1Q-ND
TK14C65W5S1Q
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN100N20FU6
仓库库存编号:
RDN100N20FU6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP14N60P
仓库库存编号:
IXTP14N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA70N20
仓库库存编号:
FDA70N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 208W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB12N50C-E3
仓库库存编号:
SIHB12N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 36W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF12N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±30V,
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