MT47H64M8B6-25E L:D TR,Micron Technology Inc.,集成电路(IC),存储器
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MT47H64M8B6-25E L:D TR - 

IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-25E L:D TR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MT47H64M8B6-25E L:D TR
仓库库存编号:
557-1427-1-ND
描述:
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MT47H64M8B6-25E L:D TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  60-FBGA  
  制造商  Micron Technology Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  0°C ~ 85°C(TC)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  电压 - 电源  1.7 V ~ 1.9 V  
  供应商器件封装  60-FBGA  
  存储容量  512Mb (64M x 8)  
  技术  SDRAM - DDR2  
  时钟频率  400MHz  
  存储器类型  易失  
  访问时间  400ps  
  写周期时间 - 字,页  15ns  
  存储器格式  DRAM  
  存储器接口  并联  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 557-1427-1
MT47H64M8B625ELDTR

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