FST83100M,GeneSiC Semiconductor,分立半导体产品,二极管 - 整流器 - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FST83100M - 

DIODE MODULE 100V 80A D61-3M

  • 非库存货
GeneSiC Semiconductor FST83100M
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FST83100M
仓库库存编号:
FST83100MGN-ND
描述:
DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 80A (DC) Chassis Mount D61-3M
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FST83100M产品属性


产品规格
  封装/外壳  D61-3M  
  制造商  GeneSiC Semiconductor  
  安装类型  底座安装  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D61-3M  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  1.5mA @ 20V  
  不同 If 时的电压 - 正向(Vf)  840mV @ 80A  
  工作温度 - 结  -55°C ~ 150°C  
  二极管类型  肖特基  
  电压 - DC 反向(Vr)(最大值)  100V  
  速度  快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)  
  电流 - 平均整流(Io)(每二极管)  80A(DC)  
  二极管配置  1 对共阴极  
关键词         

产品资料
数据列表 FST8345M~83100M
D61-3M (Mini MOD) Drawing
标准包装 30
其它名称 FST83100MGN

FST83100M相关搜索

封装/外壳 D61-3M  GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 D61-3M  二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 D61-3M  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 D61-3M   制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor  二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 GeneSiC Semiconductor   安装类型 底座安装  GeneSiC Semiconductor 安装类型 底座安装  二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 底座安装  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 底座安装   系列 -  GeneSiC Semiconductor 系列 -  二极管 - 整流器 - 阵列 系列 -  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 系列 -   包装 散装   GeneSiC Semiconductor 包装 散装   二极管 - 整流器 - 阵列 包装 散装   GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 零件状态 在售  二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 D61-3M  GeneSiC Semiconductor 供应商器件封装 D61-3M  二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 D61-3M  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 D61-3M   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1.5mA @ 20V  GeneSiC Semiconductor 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1.5mA @ 20V  二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1.5mA @ 20V  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1.5mA @ 20V   不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 840mV @ 80A  GeneSiC Semiconductor 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 840mV @ 80A  二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 840mV @ 80A  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 840mV @ 80A   工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C  GeneSiC Semiconductor 工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C  二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C   二极管类型 肖特基  GeneSiC Semiconductor 二极管类型 肖特基  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 肖特基  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 肖特基   电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V  GeneSiC Semiconductor 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V  二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V   速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)  GeneSiC Semiconductor 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)  二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)   电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 80A(DC)  GeneSiC Semiconductor 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 80A(DC)  二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 80A(DC)  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 80A(DC)   二极管配置 1 对共阴极  GeneSiC Semiconductor 二极管配置 1 对共阴极  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 1 对共阴极  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 1 对共阴极  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号