ALD212900APAL,Advanced Linear Devices Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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ALD212900APAL - 

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Advanced Linear Devices Inc. ALD212900APAL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
ALD212900APAL
仓库库存编号:
1014-1215-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

ALD212900APAL产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-DIP(0.300",7.62mm)  
  制造商  Advanced Linear Devices Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  0°C ~ 70°C(TJ)  
  系列  EPAD?,Zero Threshold?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-PDIP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  14 欧姆  
  FET 类型  2 N 沟道(双)配对  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  80mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  30pF @ 5V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  10mV @ 20μA  
  漏源电压(Vdss)  10.6V  
  功率 - 最大值  500mW  
关键词         

产品资料
数据列表 ALD212900/A
标准包装 50
其它名称 1014-1215

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