产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 145A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT80GA90B
仓库库存编号:
APT80GA90B-ND
别名:APT80GA90BMI
APT80GA90BMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 78A 337W TO-247
详细描述:IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT43GA90B
仓库库存编号:
APT43GA90B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 63A 290W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GA90BD15
仓库库存编号:
APT35GA90BD15-ND
别名:APT35GA90BD15MI
APT35GA90BD15MI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 78A 337W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT43GA90BD30
仓库库存编号:
APT43GA90BD30-ND
别名:APT43GA90BD30MI
APT43GA90BD30MI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 100A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT40GP90BG
仓库库存编号:
APT40GP90BG-ND
别名:APT40GP90BGMI
APT40GP90BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 63A 290W TO-247
详细描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GA90B
仓库库存编号:
APT35GA90B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GP90BDQ1G
仓库库存编号:
APT15GP90BDQ1G-ND
别名:APT15GP90BDQ1GMI
APT15GP90BDQ1GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 48A 223W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT27GA90BD15
仓库库存编号:
APT27GA90BD15-ND
别名:APT27GA90BD15MI
APT27GA90BD15MI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 117A 500W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT64GA90B
仓库库存编号:
APT64GA90B-ND
别名:APT64GA90BMI
APT64GA90BMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 117A 500W TO-247
详细描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
型号:
APT64GA90B2D30
仓库库存编号:
APT64GA90B2D30-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GP90BG
仓库库存编号:
APT15GP90BG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 72A 417W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GP90BG
仓库库存编号:
APT25GP90BG-ND
别名:APT25GP90BGMI
APT25GP90BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 72A 417W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GP90BDQ1G
仓库库存编号:
APT25GP90BDQ1G-ND
别名:APT25GP90BDQ1GMI
APT25GP90BDQ1GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 117A 500W TO-264
详细描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT64GA90LD30
仓库库存编号:
APT64GA90LD30-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 145A 625W TO-264
详细描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264
型号:
APT80GA90LD40
仓库库存编号:
APT80GA90LD40-ND
别名:Q4945437
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 101A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole
型号:
APT40GP90B2DQ2G
仓库库存编号:
APT40GP90B2DQ2G-ND
别名:APT40GP90B2DQ2GMI
APT40GP90B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO220
详细描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-220 [K]
型号:
APT15GP90KG
仓库库存编号:
APT15GP90KG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V,
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