产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (4)
Vishay Siliconix (341)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRLL110TRPBF
仓库库存编号:
IRLL110PBFCT-ND
别名:*IRLL110TRPBF
IRLL110PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL9110PBFCT-ND
别名:*IRFL9110TRPBF
IRFL9110PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR110TRPBF
仓库库存编号:
IRFR110PBFCT-ND
别名:*IRFR110TRPBF
IRFR110PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD09P10-195-GE3
仓库库存编号:
SUD09P10-195-GE3CT-ND
别名:SUD09P10-195-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7810DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7810DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7810DN-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7322DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ402EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ402EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ402EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS892DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS892DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ488EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ488EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ488EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.2A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7113DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7113DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7113DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR876ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR876ADP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.4A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4190ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4190ADY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520PBF
仓库库存编号:
IRF520PBF-ND
别名:*IRF520PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR870ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR870ADP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7178DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7178DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7178DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 5.2W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7489DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7489DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM60N10-17-E3
仓库库存编号:
SUM60N10-17-E3CT-ND
别名:SUM60N10-17-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540PBF
仓库库存编号:
IRF540PBF-ND
别名:*IRF540PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL540PBF
仓库库存编号:
IRL540PBF-ND
别名:*IRL540PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N10-09-E3
仓库库存编号:
SUM110N10-09-E3CT-ND
别名:SUM110N10-09-E3-ND
SUM110N10-09-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3474DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3474DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3474DV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB456DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB456DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB456DK-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号